从 3D NAND 到逻辑器件:一个工艺-器件复合工程师的视角
为什么横跨 process-device 的人,在 PIE / YE 岗位上更稀缺、也更值钱。
敬请期待我是Diamond,一名半导体复合研发工程师。过去 11 年,我先后服务于国内头部存储与特色工艺产线,做过 3D NAND 的 CVD 薄膜工艺与器件研发,也做过 TFT 器件开发,现在聚焦 CVD 工艺开发与器件协同优化。
我的差异化在于:既能在腔体层面调薄膜均匀性、台阶覆盖、应力,也能在器件层面把薄膜参数映射成 I-V 特性与良率。这种横跨 process-device 的视角,在工艺整合(PIE)和良率提升(YE)岗位上尤其稀缺。
目前博士在读,持续把产线经验沉淀为可复用的方法论——这也是这个站点存在的意义。
工艺与器件双轮驱动,不是其中一项的延伸,而是两条线的真正交汇。
从腔体工艺窗口开发到量产良率爬坡,覆盖薄膜厚度均匀性、台阶覆盖、应力控制与缺陷抑制。
覆盖 3D NAND、逻辑器件与 TFT,能把薄膜工艺参数关联建模到器件电性与可靠性。
把一线经验变成可用的交付。以下服务均基于公开领域知识与方法论,不涉及任何原单位保密信息。
把产线里踩过的坑、想通的问题,写成能复用的方法论。
厚度均匀性差、颗粒污染、台阶覆盖空洞、薄膜应力开裂、电性与组分异常。每类都给现象、机理和排查思路。
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