PROCESS × DEVICE · 半导体一线工艺工程师

从 55nm 到 14nm,从 32 层到 196 层 3D NAND,
都亲手干过

我是 Diamond,在半导体产线摸了 11 年。从 55nm 到 14nm 逻辑器件、从 32 层到 196 层 3D NAND,我全程参与了多条产品线的从0到1,也扛过良率从爬坡到量产的完整项目——不是看过,是亲手干过。

CVD 薄膜(low-k / STI HARP / 高应力 SiN)和 CMOS 器件我两边都踩过坑,横跨 process 和 device 的复合背景,让我能帮你把一个工艺问题直接翻译成器件语言、定位根因。60+ 件发明专利、历年良率与失效整改笔记,大多沉淀在站内资料里。

如果你正卡在:工艺窗口调不动、简历写不透自己的价值、面试答不好"为什么"——这些我都能聊,帮你把模糊的工艺直觉,落成可执行的方案和讲得清的故事。

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付费资料 · 一站式清单

30 份付费资料与咨询服务,按 18 大模块分类:咨询 / 15 大工艺模块 / 先进封装 / 量测 / 求职成长——点模块名直达,付款后即买即用。

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CVD 套装 / 01

CVD / 薄膜工艺全家桶(7 份)

薄膜基础 + HDP + HARP + low-k + NDC + SiN + TEOS,沉积主题一站配齐。

¥299 省 ¥144
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刻蚀套装 / 02

刻蚀工艺全家桶(4 份)

栅极 + STI + 接触孔 + Spacer,干法刻蚀四大件核心 recipe 全解。

¥169 省 ¥87
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封装套装 / 03

先进封装与互连全家桶(4 份)

ECP + 混合键合 + TSV + HBM,后摩尔时代的互连主线。

¥189 省 ¥97
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求职套装 / 04

求职面试全家桶(4 份)

求职地图 + 面试题库 + CVD50 + ETCH50,面试季一次备齐。

¥69 省 ¥21
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量测套装 / 05

量测与可靠性全家桶(3 份)

颗粒量测 + 膜厚量测 + CMOS 失效机理,YI/QR 岗位直接用。

¥129 省 ¥58
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合集 / 全量

全套付费资料合集

全站 30+ 份一价全包(含硅光五册):工艺专报 + 面试题库 + 前沿手册。散买合计 ¥2170,直省 ¥571,后续新增资料免费补发。

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01 · 问题咨询模块

咨询 / 01

半导体疑难问答 · 职业规划

6 个问题,覆盖工艺 / 器件技术疑难 + 求职职业规划,配图文详解。

¥60
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02 · CVD 工艺模块

薄膜技术 / 15

薄膜技术基础

从真空物理、成膜机理到 PVD/CVD 全家族与先进节点挑战:反应溅射迟滞、ALD 四拍循环、晶圆薄膜 Stack 全景。PDF 约 25 页、7 图 5 表。

¥69
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HDP 资料 / 01

HDP-CVD 高密度等离子体间隙填充

同步沉积+溅射的 bottom-up 填充机理、Dep/Etch 窗口、IPM / DS1+DS2 / Single DS 三种 STI recipe 模式,与 HARP / FCVD 选型。含一线案例,共 11 章 13 图。

¥59
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HARP 资料 / 01

STI / ILD HARP 高深宽比填充

臭氧 TEOS、流动性 oxide、空隙控制,从浅沟槽到层间介质填充。

¥69
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low-k 资料 / 01

超低介电常数(low-k / ULK)薄膜

降 k 三路径、FSG/CDO/多孔 SiCOH 演进、DEMS 与 BCHD/ATRP 造孔剂、UV 固化 U 型谷、PID 防护与产线 bump 复盘。全 14 章,Word 小四版。

¥69
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NDC 资料 / 01

N 掺杂碳化硅(NDC / SiCN)薄膜

k 值 / 应力 / 台阶覆盖 / 可靠性权衡,Cu 扩散阻挡层应用与沉积窗口。

¥69
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SiN 资料 / 01

高张应力 SiN 薄膜工艺

NMOS 应变工程:PECVD 应力调控、UV 固化、SMT 集成与可靠性权衡。PDF 约 13 页。

¥49
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TEOS 资料 / 11

PECVD TEOS & USG 技术专报

ULK 时代的"配角膜":反应机理、参数趋势、Recipe 五段式与 ST Transfer/CIP1 演进,PAC/PA/THK 三类 OOS 排障实录,附调参速查表与新 Recipe 导入检查清单。PDF 约 32 页。

¥59
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金刚石资料 / 01

MPCVD 法制备半导体级金刚石薄膜

形核、掺杂、热管理应用,半导体级金刚石薄膜技术专报。PDF 共 42 页。

¥129
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NFDARC 资料 / 10

DARC / NFDARC 介电抗反射涂层

光刻抗反射涂层:DARC 的 n/k 光学匹配与膜厚控制,NFDARC 去氮规避光刻机中毒与胶 footing 的取舍,PECVD 沉积窗口。共 15 章 + 3 附录、7 表。

¥49
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APF 资料 / 01

APF 含氢非晶碳硬掩模

刻蚀选择比、应力控制、low-k 兼容集成,以及优化扩充版实战要点。

¥59
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LTO 资料 / 08

低温氧化硅薄膜技术手册

450°C 以下的介质主力军:LTO / TEOS-O₃ / PECVD 三条路线、五步调试法、六大难点(填孔 seam、应力吸湿氢、颗粒、均匀性、致密化、低频调应力)与 13 条异常速查表,约 17 页。

¥69
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03 · PVD 工艺模块

ECP 资料 / 09

ECP 电镀铜技术专报

先进互连 bottom-up 填充:CEAC 机理、添加剂三件套、前处理与填充缺陷(void / seam / 夹杂物)排查,大马士革集成窗口。共 21 章 + 5 附录、22 表 9 图。

¥79
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04 · EPI 工艺模块

EPI 外延 / 13

Si/SiGe EPI 外延技术专报

在晶体上长晶体:应变工程与源漏外延、硅源化学、六步生长、掺杂动力学(B 与 P/As 反向)、选择性外延 SEG、机台架构与缺陷排查。PDF 约 26 页、14 图 6 表。

¥69
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05 · Etch 工艺模块

GATE ETCH / 12

Gate 栅极刻蚀技术专报

从 Al gate 到 HKMG:Tri-layer 图案传递、八步 recipe body、Poly ME/SL/OE 三步化学与 N/P Loading、规格窗口与六类缺陷排查。PDF 约 30 页、9 图 11 表。

¥59
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STI ETCH / 11

STI 浅沟槽隔离刻蚀技术专报

从 LOCOS 到 40 nm 节点:STI Loop 八步集成、三种 Hardmask 模式演进、40 nm 分步气体化学、卤素选择比设计与七类典型缺陷排查。PDF 约 28 页、9 图 4 表。

¥59
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CT 刻蚀 / 22

Contact Etch 技术专报

数亿个"握手点"一个都不能断:六步 recipe 集成(Barc/APF/CAP/OE/ASH/SiN Remove)、CxFy 气体化学、高深宽比与 ARDE、异常排查。PDF 约 22 页、9 图 4 表。

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Spacer 刻蚀 / 17

Spacer Etch 技术专报

晶圆上最小的"标尺":自对准原理、LDD 与 HCI、膜层四代演进、等离子体机理、剖面与损伤"四重夹逼"、缺陷排查与 SADP/GAA 内 Spacer。PDF 约 28 页、9 图 7 表。

¥69
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06 · 光刻工艺模块

光刻机光学 / 20

光刻机光学深度解析技术手册

与衍射的百年战争:NA/DOF/K₁ 三角、σ 与离轴照明、OPC、光刻胶、浸润式、EUV 极限工程、多重图形化、套刻控制。PDF 约 20 页、8 图 4 表。

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07 · 炉管工艺模块

热氧化 / 21

热氧化与垫氧层深度技术手册

一块"自己长出来的玻璃":44% 定律、Deal-Grove 模型及其边界、三种气氛与 DCE 氯氧化、四种电荷、Pad Oxide 两大使命与鸟嘴效应。PDF 约 16 页、6 图 4 表。

¥59
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08 · RTP 工艺模块

RTP 退火 / 14

RTP 快速热退火技术手册

激活、修复、均匀性、热预算:Soak 与 Spike 两种模式、RTN 氮化、Salicide 两步相变、recipe 四通道解读与 409 盏灯闭环温控。PDF 约 18 页、7 图 7 表。

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09 · 离子注入工艺模块

筹备中

离子注入工艺模块数字资料 · 上架筹备中

本模块资料正在撰写,上架后自动归入此处。想优先看哪个主题,加微信点题——你的需求决定写作顺序。

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10 · ALD 工艺模块

筹备中

ALD 数字资料 · 上架筹备中

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11 · Wet 工艺模块

湿法大全 / 01

WET 湿法工艺大全技术手册

从 DHF 到 EKC580 八大药液逐个讲透:机理链、配比窗口、ER 影响因素,watermark / PR Peeling / F 残留腐蚀等产线教训,10 张示意图与 5 张速查表。全 14 章,PDF 小四排版。

¥69
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12 · CMP 工艺模块

筹备中

CMP数字资料 · 上架筹备中

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13 · 器件模块

CMOS 资料 / 01

CMOS 器件失效效应与先进工艺模块

HCI 幸运电子模型 / NBTI / GIDL / TDDB 渗流 / Kink 浮体 / 闩锁 / 天线 / TFT 背栅 + JEDEC 考核 + 失效分析工具箱 + 面试 12 题。全 22 章,Word 小四版。

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14 · 硅光模块

硅光系列 / 全五册

硅光工艺技术专报(5 册)

2026 硅光份额破 50%、CPO 在路上:平台选型 / 波导光刻刻蚀 / 调制器掺杂 / GeSi 探测器外延 / SiN 互连封装,五册一套从选型到交付。每册含速查表、失效案例与自查清单,配 5 张插图。

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15 · 先进封装模块

混合键合 / 16

混合键合深度技术手册

先进封装的终极互连:互连密度 15×、无凸点铜-铜直接键合、W2W/D2W 路线、四大工艺阶段、良率三敌、HBM 时间窗与间距路线图。PDF 约 21 页、7 图 4 表。

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TSV 硅通孔 / 18

TSV 技术手册

三维时代的第一块基石:垂直互连、三大工艺路线、Bosch 刻蚀、铜填充、Cu Pumping 与 KOZ、HBM/2.5D 应用与成本经济学。PDF 约 26 页、7 图 4 表。

¥59
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HBM 堆叠 / 19

HBM 堆叠工艺技术手册

三维时代最贵的"存储大楼":架构解剖、MR-MUF 与 TC-NCF 键合路线、三道鬼门关、良率指数 p^n、KGD 防线、混合键合路线图与成本经济学。PDF 约 20 页、5 图 4 表。

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16 · 量测模块

颗粒量测 / 07

晶圆表面颗粒量测技术手册

暗场散射颗粒检测:SP1/SP2 到 SP5/SP7 的波长迭代与像素级参考比对,散射四量耦合、Recipe 调参与背景误报排查,含 18 张原厂培训图。共 19 章。

¥49
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量测资料 / 12

膜厚量测技术手册

膜厚量测整条技术栈:SE / SR / BBSE / SWE / WLR / 应力量测,量测能力三指标、GOF 模型匹配纪律与子系统选型逻辑。9 章 17 图,PDF 约 35 页。

¥39
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17 · Flow 模块

筹备中

Flow 工艺集成数字资料 · 上架筹备中

工艺集成 / Flow 整合类资料正在撰写,上架后自动归入此处。想优先看哪个主题,加微信点题——你的需求决定写作顺序。

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18 · 求职成长模块

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1v1 求职辅导 · 冲刺陪跑

11 年一线工程师带教:简历深度重构 + 模拟面试 ×2 + offer 选择复盘,2 周交付。另有免费 15 分钟求职诊断,先聊再买。

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求职地图 / 01

半导体大厂求职地图

公司版图 + 核心岗位详解 + 薪资参考 + 求职策略。11 年一线经验帮你少走弯路、投得准。PDF 共 9 页。

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面试题库 / 01

半导体面试题库

8 大模块约 50 题(含答案 + 解析):工艺基础 / CVD / CMOS / PIE / 良率 / 可靠性 / EHS / 行为面试。面试前一次补齐薄弱点。PDF 共 19 页。

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CVD 面试 / 01

CVD 工艺面试 50 问

垂直深挖薄膜工艺岗的 50 道高频面试题 + 解析,覆盖腔室 / 前驱体 / 台阶覆盖 / 良率。

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ETCH 面试 / 02

ETCH 求职面试 50 问

等离子体物理、刻蚀化学与气体体系、氧化物与高深宽比刻蚀、金属栅三步 recipe、N/P Loading、缺陷排查与情景行为题,10 大模块全解析。PDF 约 20 页、50 题全解析。

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新人包 / 01

半导体新人求生包:入职前 90 天行动手册

写给刚拿 offer 的你:报到清单、无尘服入门、安全保密红线、Fab 黑话速查、90 天路线图、跨部门协作地图与踩坑 TOP10。全 12 章配 2 图,从拿 offer 到独立排班。

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简历模板 / 01

半导体简历模板库(四版任选一)

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咨询与会员

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半导体全套付费资料合集

一次拿下 6 份工艺专报,性价比最高,省去单份拼凑。

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我能帮你做什么

把一线经验变成可用的交付。以下服务均基于公开领域知识与方法论,不涉及任何原单位保密信息。

01

工艺培训 / 知识分享

面向应届生与转行工程师的半导体薄膜工艺实战课程与公开分享。

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02

简历优化 + 职业规划(半导体方向)

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03

模拟面试(器件 / PIE)

基于真实岗位 JD 做技术面试陪练,覆盖薄膜工艺、器件物理、失效分析与项目追问。

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04

技术顾问 / 工艺评审

为设备商、材料商与初创团队提供薄膜工艺窗口、器件结构评审的兼职顾问支持。

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05

企业 ↔ 高校对接

面向企业 HR / 技术团队与高校院系:校园招聘对接、产学研合作牵线、技术讲座与交流活动组织——靠一线人脉与行业认知做靠谱连接。

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Writing

文章与思考

把产线里踩过的坑、想通的问题,写成能复用的方法论。

05失效模式
半导体薄膜工艺 · 实战清单

CVD 薄膜常见的 5 类失效模式——一个 11 年工艺工程师的实战清单

厚度均匀性差、颗粒污染、台阶覆盖空洞、薄膜应力开裂、电性与组分异常。每类都给现象、机理和排查思路。

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06介电薄膜
半导体薄膜工艺 · 材料与机理

先进工艺:超低介电常数(low-k / ULK)薄膜技术详解

系统讲解 low-k / ULK 介电薄膜的材料族与核心权衡。

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07可靠性
CMOS 器件 · 可靠性与工艺模块

CMOS 器件失效效应介绍及先进工艺模块介绍

梳理 HCI / NBTI / PBTI / TDDB 四大可靠性退化效应,串讲 STI、阱工程、salicide、SMT、双应力衬垫与 low-k 互连等先进工艺模块——可下载 PDF(39 页)系统讲透。

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08高深宽比填充
半导体薄膜工艺 · STI / ILD HARP

HARP 填沟出了 seam,别急着改 recipe

出 seam 时根因 80% 不在 recipe,而在前段 trench profile、SiN pull-back、under-cut。还有衬底选择性的隐藏变量和 H2 处理开关——完整工艺手册(含实测数据、排查清单、16 张示意图)。

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09Cu 互连双功能膜
半导体薄膜工艺 · BEOL Cu 互连 NDC / SiCN

NDC 调不动?别急着堆 N——它卡在 Cu 阻挡、k 值、应力的不可能三角里

Cu tail 超标时堆 N 反而推高 k、压应力翻车、覆盖变差。先锁 20–30% 甜区再调副旋钮,用 UV 固化翻转应力、NH₃ 预处理稳住界面——完整薄膜技术资料(含物理本质、界面工程、参数调控、五大失效排查、选型决策树、8 图 9 表)。

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即将发布

从 3D NAND 到逻辑器件:一个工艺-器件复合工程师的视角

为什么横跨 process-device 的人,在 PIE / YE 岗位上更稀缺、也更值钱。

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