56Gbaud PAM4 的心脏:载流子耗尽型 MZM、6 类掺杂注入顺序哲学、三次退火热预算、行波电极 Lift-off 与 Vπ·L 的设计-工艺协同优化。
深结先注、浅结后注:为什么顺序错一环,轻掺结就被高温搅乱——温度阶梯背成本能。
重掺区侵入光场 = 自由载流子吸收;边界设计与光场间距的取舍逻辑。
设计-工艺 3~4 轮循环收敛到 ≤2.0V·cm——硅光工艺开发的真实节拍。
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硅光工艺系列第三册:等离子体色散效应定量框架、6 类掺杂与三次退火温度阶梯、掺杂的光学代价、行波电极速度匹配、MZM 工作点与 PAM4 线性度、产业坐标与进阶推演。

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