硅光工艺技术专报
从选型到封装的五堂硬课

一套 14 层掩膜的"够用"哲学：核心指标体系、90nm DUV 选型逻辑、SOI 衬底、17 个工艺模块全景与六大挑战难度地图——硅光入行的第一张作战地图。

硅光的难度天花板：193nm ArF 光刻四大挑战、曲线波导 OPC、场拼接误差、三次硅刻蚀（70/130/220nm）与热氧化平滑化——深度就是功能。

56Gbaud PAM4 的心脏：载流子耗尽型 MZM、6 类掺杂注入顺序哲学、三次退火热预算、行波电极 Lift-off 与 Vπ·L 的设计-工艺协同优化。

4.2% 晶格失配的驯服术：LT/HT 两步生长法、选择性外延、退火降位错两个量级、暗电流故障树——把外延玄学变成参数工程。

从薄膜到交付：SiN 多功能层与应力控制、大马士革 SiN、Via/W 填充、2 层金属的克制、58 步全流程索引、光耦合主动对准与 CPO 封装演进。