波导刻蚀是硅光的地基、也是难度天花板：深度均匀性 ±2nm 直接决定光栅中心波长，侧壁 RMS 每 1nm 都是链路预算的真金白银。本册把"深度就是功能"讲到能落 recipe。

WHY THIS BOOK

这本册子解决什么

三次刻蚀 = 三种功能

70nm 管波长、130nm 管单模、220nm 管泄漏——一次晶圆上的三种深度，精度要求 ±2/±3/±5nm。

侧壁的物理与经济账

散射损耗与粗糙度的定量关系、热氧化平滑化的设计补偿闭环、RMS<2nm 怎么来。

五则失效案例

DWDM 通道漂移、消光比塌方、残留硅模场泄漏……每则都按"现象→排查→根因→解法"复盘。

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目录预览（19 节）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版（含封面 / 目录 / 全部正文 / 图表 / 速查表）。

01 · 图形化差异：CD 灵敏度的本质不同

02 · 曲线图形的独特需求

03 · 193nm ArF DUV 光刻的四大挑战

04 · 三次硅刻蚀：一次晶圆上的三种深度

05 · 核心矛盾：光刻胶选择比 vs 侧壁粗糙度

06 · 侧壁粗糙度的经济学

07 · 耦合结构：光进光出的第一道关

08 · 三次刻蚀参数速查表

09 · 五则典型失效案例

10 · 热氧化平滑化的量化逻辑

11 · 工艺自查清单

12 · OPC 与曲线波导修正

13 · 术语速查

14 · 刻蚀设备的配置逻辑

15 · 新手学习路径建议

16 · 产业坐标：刻蚀良率如何变成模块成本

17 · 进阶推演：光刻-刻蚀联合优化的一次完整思考

18 · 侧壁工程的物理深潜

19 · 光栅耦合器：设计-工艺协同的显微镜

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硅光系列 02SiPh 02

硅光工艺技术专报 / 02

《硅光工艺详解02 · 波导光刻与刻蚀》

硅光工艺系列第二册：光刻与刻蚀的图形化差异、曲线波导曼哈顿化、三次硅刻蚀深度-功能映射、侧壁粗糙度物理、热氧化平滑化闭环、五则失效案例与自查清单。

三次硅刻蚀参数速查表（深度/精度/失效模式）
曲线波导曼哈顿化与 OPC 修正策略
热氧化平滑化：设计深度 = 目标深度 + 氧化消耗
五则典型失效案例 + 发布 recipe 前自查清单
侧壁散射物理与光栅耦合器设计-工艺协同

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Q3 · 五册可以一起买吗？

可以。系列汇总页 siph.html 提供全套购买：五册合集 ¥299（单买 ¥395，省 ¥96），一次交付。

Q4 · 内容适合谁？

半导体工艺 / 设备 / PIE 工程师转型硅光，微电子 / 光电专业学生入行，以及光模块行业想补全晶圆端工艺认知的人。用"工艺需求—难点—失效模式—解法"四件套讲透每个模块。

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