互连延迟超过晶体管之后，介质降 k 就成了先进制程的主战场之一：从 SiO₂ 的 4.0 一路打到 ULK 的 2.5 附近，每一分 k 都要用可靠性来换。本册讲清"k 怎么降、可靠性怎么丢、怎么防"。

WHY THIS BOOK

这份资料解决什么

降 k 三路径 + 代际路线

Clausius-Mossotti 到空气孔：FSG→CDO→多孔 SiCOH 每一代用什么化学、牺牲了什么。

UV 固化 U 型谷

收缩率 5% 的甜区：先造孔后交联的窗口管理，Si–CH₂–Si 桥接与模量门槛。

PID 防护 + 产线教训

等离子体诱导损伤机理、缓解手段全序列，附 12 寸产线 PULK bump 缺陷根因链复盘。

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目录预览（全 14 章）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版。

01 · 为什么需要 low-k：互连延迟的物理学

02 · 介电物理基础：降 k 的三条路径

03 · 第一代 FSG：氟的功与过

04 · 第二代 CDO/OSG（BDI）：把甲基插进 SiO₂

05 · 第三代多孔 SiCOH：减除法、DEMS 骨架与 BCHD/ATRP 造孔剂

06 · UV 固化：ULK 工艺的心脏（U 型谷与模量门槛）

07 · 关键力学参数 H/E 与集成门槛

08 · PID 等离子体损伤（头号敌人）

09 · 集成实战：膜堆、CMP 与产线 bump 缺陷教训

10 · 可靠性：TDDB 与 CPI

11 · 路线图：Air Gap 与 k<2.0

12 · 参数速查与监控清单

13 · 常见异常排查速查表

14 · 总结与参考来源

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工艺深研low-k

工艺深研 / LOW-K

《超低介电常数 low-k / ULK 薄膜》

low-k / ULK 超低介电常数介质技术专报（全 14 章·Word 小四版）：降 k 物理三路径、FSG/CDO/多孔 SiCOH 材料族、DEMS 骨架与 BCHD/ATRP 造孔剂、UV 固化 U 型谷、PID 损伤防护与 12 寸产线 bump 缺陷实战复盘。

全 14 章 · 5 表 · 5 图，Word 小四排版
降 k 三路径 + 三代材料族演进全解
DEMS/BCHD/ATRP 前驱体与造孔剂选型
UV 固化 U 型谷与收缩率窗口
PID 防护 + 产线 bump 缺陷根因复盘

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