DIGITAL PRODUCT · 工艺深研 / HDP

HDP-CVD 高密度等离子体间隙填充
技术专报

边沉积边溅射刻蚀的"自修复"填充：bottom-up 机理、IPM / DS1+DS2 / Single DS 三种 STI Recipe、void 与 keyhole 成因、HDP vs HARP vs FCVD 选型决策树。

间隙填充是每代节点都要重打一遍的仗：高深宽比之下，回流填充早已失效，HDP 用"边填边削"把 void 按在窗口里。本册从填充物理讲到三种 Recipe 模式与选型决策树，附一线调试清单。
WHY THIS BOOK

这份资料解决什么

01

填充的物理

bottom-up 从哪来、void 与 keyhole 怎么长出来——机理一层不讲虚的。

02

三种 Recipe 模式

IPM / DS1+DS2 / Single DS 逐参数对比，直接对照机台调窗口。

03

选型决策树

HDP vs HARP vs FCVD：什么结构该用谁，一张图定路线。

PREVIEW · 试读

目录预览（11 节）

以下为全册章节。可据此判断内容是否覆盖你的痛点；确认需要后，按下方购买方式加微信付款，我通过微信私信发送完整电子版。

01 · 间隙填充为什么是道坎：从回流到等离子体的演进
02 · HDP-CVD 到底是什么：等离子体源与边填边削
03 · 填充的物理：bottom-up、void、keyhole 从哪来
04 · 工艺窗口：功率、气压、气体配比、溅射比的权衡
05 · HDP 的三种 STI Recipe 模式：IPM / DS1+DS2 / Single DS
06 · STI 应用实战：形貌、热预算、致密化
07 · ILD 与金属化兼容：Cu / low-k 时代的角色
08 · 可靠性雷区：void、裂纹、电荷损伤、H₂
09 · HDP vs HARP vs FCVD：选型决策树
10 · 一线案例与调试清单
11 · 小结与延伸阅读方向
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工艺深研HDP
工艺深研 / HDP

《HDP-CVD 高密度等离子体间隙填充》

HDP-CVD 高密度等离子体间隙填充技术专报：填充物理、工艺窗口、三种 STI Recipe 模式、ILD 兼容、可靠性雷区与一线案例，共 11 章 13 图。

  • 11 章完整体系 + 13 图
  • 三种 STI Recipe 模式逐参数拆解
  • 可靠性雷区：void、裂纹、电荷损伤、H₂
  • 一线案例与调试清单
  • HDP/HARP/FCVD 选型决策树
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