刻蚀是把设计变成实体的最后一刀——等离子体物理、刻蚀化学与气体体系、氧化物与高深宽比刻蚀、多晶硅与金属栅三步 recipe、终点检测、缺陷排查与情景行为题,50 题全解析。
刻蚀是 FEOL 中形貌要求最苛刻的模块,也是面试追问最深的模块——从等离子体原理一路追到具体缺陷的排查顺序。背 recipe 没有用,面试官要的是"你有没有想过你每天在做什么"。
光刻的 CD 要靠刻蚀写到晶圆上,栅长、侧壁、选择比——窗口一偏,器件参数全线漂。
Cl₂/HBr 体系 N/P 速率差可达 30%,SF₆ 基接近 1:1——loading 是化学问题,就用化学解。
缺陷在颈部、底部还是侧壁,指向完全不同的步骤——按「化学 → 硬件 → 状态」顺序隔离,别盲猜。
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刻蚀(ETCH)求职面试 50 问:等离子体物理、刻蚀化学与气体体系、氧化物与高深宽比刻蚀、多晶硅与金属栅三步 recipe、N/P Loading、STI 与硬掩模、金属与硅化物刻蚀、终点检测、缺陷排查与情景行为题,10 大模块全解析。

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